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Si8610/20/21/22
Table 8. IEC 60747-5-2 Insulation Characteristics for Si86xxxx*
Characteristic
Parameter
Symbol
Test Condition
WB
NB
Unit
SOIC-16
SOIC-8
Maximum Working Insulation
Voltage
V IORM
1200
630
Vpeak
Method b1
Input to Output Test Voltage
V PR
(V IORM x 1.875 = V PR , 100%
Production Test, t m = 1 sec,
2250
1182
Partial Discharge < 5 pC)
Transient Overvoltage
V IOTM
t = 60 sec
6000
6000
Vpeak
Pollution Degree
(DIN VDE 0110, Table 1)
2
2
Insulation Resistance at T S ,
V IO = 500 V
R S
>10 9
>10 9
?
*Note: Maintenance of the safety data is ensured by protective circuits. The Si86xxxx provides a climate classification of
40/125/21.
Table 9. IEC Safety Limiting Values 1
Parameter
Symbol
Test Condition
Max
WB SOIC-16 NB SOIC-8
Unit
Case Temperature
T S
150
150
°C
Safety Input, Output, or
Supply Current
Device Power
Dissipation 2
I S
P D
? JA = 140 °C/W (NB SOIC-8), 100 °C
(WB SOIC-16),
V I = 5.5 V, T J = 150 °C, T A = 25 °C
220
150
160
150
mA
mW
Notes:
1. Maximum value allowed in the event of a failure; also see the thermal derating curve in Figures 3 and 4.
2. The Si86xx is tested with VDD1 = VDD2 = 5.5 V, T J = 150 °C, C L = 15 pF, input a 150 Mbps 50% duty cycle square
wave.
Rev. 1.4
19
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